半导体分力器件测试仪 型号:WY425-CS2935
库号:M398111 查看hh
半导体分立器件测试仪CS2935一、产品特点:测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试、速度快、有的重复性和一致性、工作稳定,具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控,测试数据可存储打印。除具有点测试功能外,还具有曲线扫描功能(图示仪功能)。系统软件功能、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定、硬件故障率低,在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及要求。二、测试参数1. 二极管VF、IR、BVR2. 稳压(齐纳)二极管VF、IR、BV Z3. 晶体管 Transistor(NPN型/PNP型)VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON4. 可控硅整流器(晶闸管)IGT、VGT、 IH、IL 、VTM5. 场效应管IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS6. 光电耦合器VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT*7.三端稳压器VO、SV、ID、IDV被测器件图形三、测试参数范围晶体管测试参数测试范围ICEOICBOIEBO1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVCE(sat)VBE(sat)0.10V-30VVBE(VBE(on))0.10V-30VhFE1-99999V(BR)EBO0.10V-30VV(BR)CEOV(BR)CBO0. 10V-50V50V-1499V二极管测试参数测试范围IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVF0.10V-30VV(BR)1V-50V50V-1499V稳压二极管测试参数测试范围IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVF0.10V-30VVZ0.10V-50V三端稳压器测试参数测试范围VO0.10V-30VSV0.10mV-1VID1uA-10mAIDV1uA-10mAMOSFET测试参数测试范围VGS(th)0.10V-30Vgfs0.1mS-1000SRDS(on)10mΩ-100KΩVDS(on)0.10V-50VIGSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAIDSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAID(on)0-50AV(BR)GSS0.1V-30VV(BR)DSS0.1V-1499V光耦测试参数测试范围VF0.10V-30VIR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVCE(sat)0.10V-50VCTR0.1%-1000%ICEO与IR参数相同V(BR)ECO V(BR)CEO0.10V-50V50V-1499V可控硅测试参数测试范围IGT10uA-200mAVGT0.10V-30VIH10uA-1AIL10uA-1AVTM0.10V-50V四、技术指标1、源的指标主极压流源 (VA)电压:设定范围(V)度±(0~10)±(14.6mV+0.5%set)±(10~50)±(73.2mV+0.5%set)电流:测量范围度±(0-50)uA±(244nA+0.5% set)±(50-500) uA±(2.44uA+0.5% set)±(0.5-5) mA±(24.4uA+0.5% set)±(5-50) mA±(244uA+0.5% set)±(50~500) mA±(2.44mA+0.5%set)±(0.5~5)A(脉冲)±(24.4mA+0.5%set)±(5-50)A(脉冲)±(244mA+0.5%set)压流源 (VB)电压:设定范围(V)度±(0~10)±(14.6mV+0.5%set)±(10~30)±(43.8mV+0.5%set)电流:测量范围度±(0-50)uA±(244nA+0.5% set)±(50-500) uA±(2.44uA+0.5% set)±(0.5-5) mA±(24.4uA+0.5% set)±(5-50) mA±(244uA+0.5% set)±(50~500) mA±(2.44mA+0.5%set)±(0.5~5)A(脉冲)±(24.4mA+0.5%set)±(5-50)A(脉冲)±(244mA+0.5%set)高压源(HV)设定范围(V)度0~1500±(1.22V+1%set)*1500V时zui输出为5mA。2、电压表的指标测漏电流测量范围度±(0~200)nA±(2.44nA+0.5% Rdg)±(0.2-2)uA±(24.4nA+0.5% Rdg)±(2-20)uA±(244nA+0.5% Rdg)±(20~200) uA±(2.44uA+0.5% Rdg)±(0.2~2)mA±(24.4uA+0.5% Rdg)±(2-20)mA±(244uA+0.5% Rdg)测试电压设定范围(V)度±(0~10)±(3mV+0.5% Rdg)±(10~50)±(15mV+0.5% Rdg)测击穿电压设定范围(V)度(0~50)V/10mA±(36.6mV+0.25% Rdg)(50~1500)V/1mA±(610.3mV+1% Rdg)放倍数设定范围(V)度1~99991%
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第16年