电容电压特性测试仪 仪表

电容电压特性测试仪 仪表

技　术　指　标 ：
测试信号频率  1.000MHz±0.01%；
测试信号电压 小于或等于100mVrms；
电容测量范围 1.000pF～5000.0pF；
工作误差 ±3.0%±2字；
直流偏压 -35V～+35V（可扩展），由软件按设定步进电压值输出偏置电压；
软件功能 由软件控制电压的扫描输出，读取不同电压点的电容值并在电脑中绘出电容-电压的变化曲线；软件可记录、保存、打印每一点的测试数据，也可把测试数据输出到Excel中，对数据进行各种数据分析。
电脑通讯接口 USB通讯接口；
应用 应用于MOS掺杂和PN结掺杂的C-V特性测量，也可测试其它MIS电容等。MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加偏置电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C－V特性）。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度、和固定电荷面密度等参数
附送实验样品 P型MOS实验样品、N型MOS实验样品、PN掺杂实验样品
供电电源 交流电压：220V±5%；
频率： 50Hz±5%；
消耗功率：不大于40W；
工作环境 温度：0—40℃；
湿度：20%~90%RH 40℃；