方阻测试仪(低阻)仪表 方阻测试仪(低阻)仪表
(1)仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 (2)范围:电阻率10-5~10+3欧姆·厘米,分辨率为10-4欧姆·厘米 方块电阻10-4~10+4欧姆/□,小分辨率为10-3欧姆 (3)可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等 可准确测量的半导体尺寸:直径≥20㎜ 可测量的半导体尺寸:直径≥8㎜ (4)测量方式:平面测量。 (5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化 A.电流表量程0~199.99 mV,电压表量程0~19.999 mV B.电压灵敏度:1μv和10μv C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度) D.输入阻抗﹥1000MΩ E. 4 1/2位数字显示,0~19999 (6)恒流源: A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,由交流电源供给 B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档 C.恒流源精度:各档均≤±0.05% (7)四探针测试探头 测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。使用几何尺寸十分的红宝石轴承,量具精度的硬质合金探针,在宝石导孔内运动 A.探头间距1.59㎜ B.探针机械游率:±0.3% C.探针直径0.8㎜ D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻于109欧姆。 (8)手动测试架:KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。 (9)精度 电器精度:1-1000欧姆≤0.3 % 整机测量精度:1-500欧姆·厘米≤3% (10)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗﹤35W
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