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高频光电导少数载流子寿命测试仪
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产品名称: 高频光电导少数载流子寿命测试仪
产品型号: S810-LT-1B
产品报价:
QQ咨询: 有事Q我
产品特点: 高频光电导少数载流子寿命测试仪
型号:S810-LT-1B

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs
产品简介

高频光电导少数载流子寿命测试仪

高频光电导少数载流子寿命测试仪

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs

红外光源波长:1.06μm(测量硅单晶),如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。

脉冲电源:~12A

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs

红外光源波长:1.06μm(测量硅单晶),如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。

脉冲电源:~12A

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs

红外光源波长:1.06μm(测量硅单晶),如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。

脉冲电源:~12A

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs

红外光源波长:1.06μm(测量硅单晶),如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。

脉冲电源:~12A

(1)电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm,寿命测试范围:5~10000μs

(2)光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间<1μs

红外光源波长:1.06μm(测量硅单晶),如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。

脉冲电源:~12A


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